晶体管的DC放大系数HFE是表示其放大能力的一个重要参数。根据电路中三极管的工作电流要求选择三极管的HFE，有利于三极管的充分利用和电路的正常工作。小功率三极管的HFE很容易测量，但它可以中大功率三极管不易测量。作者制作了可调稳压电源，并增加了多块IC电流下的HFE测量电路，成功解决了大、中、小功率晶体管，特别是大功率晶体管的HFE测量问题，为电子制造中晶体管的选用提供了方便。电路的主要特点是：(1)IC电流从3mA到3 3A分为七块，块间跨度为1: 3 ~ 3.3，提高了IC电流的均匀性。(2)当割台满度HFE为300时，电源电压为10V；当电源电压为5.3V(硅管)和5.1V(锗管)时，仪表满度HFE为600；当电源电压为19.4V(硅管)和19.8V(锗管)时，管座满度HFE为150。(3)测量同一晶体管在多块电流下的HFE，可以大致判断其线性度。(4)表头的表盘刻度为30或300，有利于FE和电流的读取。电路原理如图1所示。它主要由三部分组成：电源部分、HFE测量电路和基极偏置电阻。下面分别介绍。
一个。稳压电源部分
1.根据图2制作稳压电源板，并按要求组装元件。
2.电力变压器功率为100W，铁心截面为28mm40mm，一次220V用 0.47 mm ~ 0.51 mm漆包线绕制990匝，二次30V用1.2mm漆包线绕制143匝。
3.三端稳压集成电路LM317和大功率管安装在散热板上，LM317安装在印刷电路板的铜箔面上。
HFE测量部分
1.使用高精度数字万用表或图3所示的分流法测量电表的内阻。先调节电位器RP，使仪表指示满刻度，然后合上开关S，转动电阻箱上的可变电阻旋钮，使被测仪表指针停在满刻度值的1/2处。此时，电阻箱的电阻就是待测仪表的内阻Ri。
2测量表头的灵敏度。通过如图4所示的连接测量表头的灵敏度IM。
3.为方便计算，采用闭路抽头法分流。这里仪表灵敏度IM=1mA，即0.001A，仪表总电阻RM=400，电流分为7个等级：3A、900mA、300mA、90mA、30mA，分别用I1 ~ I7表示。道路组成如图5所示，其计算方法如下：
因为i7=IM ISIS=i7-iminRM=RS(i7-IM)(1)RS=IMRM(i7-IM)=200R1(i1-IM)=IM(RM RS-R1)I1RI=IMRM IMRS(3)把公式(1)
i1r 1=RS(i7-IM)imrsi1r 1=rsi7r 1=(RSi7)i1=2000.003 a3a=0.2R1 R2=RSi7I2=0.60.9=0.67。
所以R2=0.47R3=1.33R4=4.67R5=13.3R6=46.7R7=RS-(R1 R2 R3 R4 r5r 6)=133.3III。基极偏置电阻的确定取硅管VBE=0.6V，锗管VBE=0.2V，当表头满度HFE=3003A时，硅管RB=(VC-VBE)IB=10-0.63/300=940(IB=IB/HFE)，其他块为3.13k，3.13k，3。90k锗测量管Rb=(VC-VBE)IB=10-0.23/300=980。其余档位依次为3.26k、9.8k、32.6K、98k、326k、980k的稳压电源对元器件无特殊要求，可根据图纸选择。HFE测量部分和电流表的分流电阻要用锰铜电阻丝绕制，最好用通用电桥测量其电阻，保证每块电流误差小于3%。每个晶体管偏置电阻应为1/4w金属膜五环精密电阻。档位选择器开关应为旋转开关，有三把刀和七个位置。
PNP，NPN转换开关，双刀双掷拨动开关。单刀双掷硅锗管转换开关。实际中，小功率管用小功率块测量，大功率管用大电流块测量。如果用大电流块测量小功率管，晶体管会烧坏，用小电流块测量大功率管得不到正确的HFE值。电路配有ICEO测量按钮开关S3，这是一个常闭开关。测量ICEO时，按住开关读取ICEO。锗管的ICEO很大，所以在精确测量HFE时，应该从IC中减去它的值。为简化电路，测量NPN管时，表头接电源正端，显示电流为IC IB。测量PNP管时，表头与发射极串联，显示电流为IE。因为IE=IC IB，所以NPN和PNP的测量结果是一致的。无论测得的HFE值有多大，都要从读数中减去1。
用作稳压电源时，可直接显示电路电流。此时需要注意的是，电流块开关的位置要合适，防止烧坏电表(一般先设置最大电流块)。
