实际上，与FET相关的参数有很多，包括DC参数、交流参数和极限参数。但是，一般来说，我们应该注意以下主要参数：
1、 I DSS—饱和漏源电流。指结型或耗尽型绝缘栅FET中栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2、 up—夹断电压。指漏源刚被切断时，结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管的栅极电压。
3、 ut—接通电压。指的是漏极和源极刚导通时增强型绝缘栅场效应晶体管的栅极电压。
4、 GM—跨导。它代表栅源电压UGS对漏电流I D的控制能力，即漏电流ID的变化量与栅源电压UGS的变化量之比。GM是衡量场效应管放大能力的一个重要参数。
5、 buds—漏源击穿电压。指栅源电压UGS不变时，FET所能承受的最大漏源电压。这是一个极限参数，施加于FET的工作电压必须小于BUDS。
6、 pdsm—最大耗散功率。它也是一个极限参数，指FET性能不恶化时允许的最大漏源耗散功率。在使用时，FET的实际功耗应小于PDSM，并留有一定的余量。
7、 idsm—最大漏源电流。是一个极限参数，指FET正常工作时，漏极和源极之间允许的最大电流。场效应晶体管的工作电流不应超过IDSM。
场效应晶体管的作用
1、 FET可用于放大。由于FET放大器的输入阻抗很高，耦合电容的容量可以很小，所以不需要使用电解电容。
:FET 的高输入阻抗非常适合阻抗变换。它常用于多级放大器的输入级进行阻抗变换。
3、 FET可用作可变电阻器。
4、 FET可以方便地用作恒流源。
5、 FET可用作电子开关。
场效应晶体管的测试
1、结型FET的引脚识别
FET的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应晶体管的发射极和集电极。将万用表设在R1k位置，用两个探针测量每两个引脚之间的正负电阻。当某两个管脚之间的正负电阻相等，都是几k时，这两个管脚就是漏极D和源极S(可互换)，剩下的管脚就是栅极g，对于有四个管脚的结型场效应晶体管，另一极是屏蔽极(使用时接地)。
2、决策门
用万用表黑色探针接触管的一个电极，用红色探针接触另外两个电极。如果两次测得的电阻都很小，说明是正电阻。晶体管属于N沟道FET，黑色探针也接在栅极上。制造工艺决定了FET的源极和漏极是对称的，可以互换使用，不影响电路的正常工作，不需要区分。源极和漏极之间的电阻大约是几千欧姆。注意，这种方法不能用于确定绝缘栅FET的栅极。因为这种管的输入电阻极高，而栅极和源极之间的极间电容很小，所以测量时只要有少量电荷，就能在极间电容上形成很高的电压，容易损坏管。
3、评估FET的放大能力
将万用表设置为R100，红色探针接源极S，黑色探针接漏极D，相当于给FET加1.5V电源电压。此时，手指示D-S电极之间的电阻值。然后用手指捏住栅极G，将人体感应电压作为输入信号施加到栅极上。由于电子管的放大作用，UDS和ID都会发生变化，相当于D-S电极间电阻的变化，可以观察到手在大幅度摆动。如果用手捏栅极时，手的摆动较小，则电子管的放大能力较弱；如果指针不动，则管道损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，用电阻测量时不同场效应晶体管的工作点可能不同，用手捏栅极时，手可能会向右或向左摆动。少数管子的RDS减小，使手向右摆动，而大多数管子的RDS增大，手向左摆动。不管手的摆动方向如何，只要能明显摆动，就说明管子有放大能力。这种方法也适用于测量MOS管。为了保护MOS场效应管，需要用手握住带绝缘柄的螺丝，用金属棒触碰栅极，防止人为感应电荷直接作用于栅极而损坏管。
每次测量MOS管时，G-S结电容都会被充上少量电荷，电压UGS就建立了。然后，计时指针可能不动了，这时G-S极就会短路。
那这就是边肖今天想要分享的所有内容。如有疑问，欢迎留言~
审计唐子红
