2021年5月14日，第十一届松山湖中国集成电路创新高峰论坛隆重开幕。论坛一直由寻找中国最好的集成电路设计公司，而且现在正处于国内半导体产业蓬勃发展的关键时期。国内对集成电路的自我完善和自主化的愿望强烈。松山湖论坛立足市场需求，寻找市场最需要的集成电路产品，实现在中国创造一个核心。
图：北京智存科技有限公司副总裁李想
北京智存科技有限公司副总裁李想带来了产品WTM2101，这是一款面向可穿戴设备的超低功耗存储和计算集成芯片。这是一款超低功耗存储和计算集成芯片，用于低功耗唤醒、识别、降噪等场景，重点应用于TWS耳机、手表等智能穿戴设备等领域。北京智存科技成立于2017年。公司专注于集成存储器和计算芯片的研发，自主研发集成存储器和计算芯片的量产测试工艺，累计流水超过20次。截至目前，智存科技已完成由3亿元产业资本领投的融资，包括SMIC聚源、科讯创投、SDIC创投、飞图创投等智存科技于2012年启动存储-计算一体化研发，2016年完成全球首款闪存-计算芯片的验证，2019年底量产全球首款存储-计算芯片WTM1001。2021年Q3将推出第二款芯片，面向可穿戴领域的WTM2101。李想表示，这款芯片集成了32位RISC-V CPU，在性能和其他方面都有很大提升。随着近年来人工智能技术的快速发展，人们对计算能力的需求越来越高，存储墙的问题也越来越明显。为了解决这个问题，国际上有很多架构，试图解决处理存储墙的问题，而存储和计算的融合是所有新架构中最有效的。
据李湘介绍，基于不同的存储介质，每个人在做集成存储和计算技术时都会采用不同的技术方向。有的是忆阻器，有的公司用SRAM和NORFLASH，智存科技用的是NORFLASH技术。
例如，我们使用的所有u盘都有一个带有许多存储页的NORFLASH芯片，每个存储页有数亿个存储单元，即晶体管。现在我们利用这些CMOS晶体管的数字特性来存储数据，所以存储器和计算的集成意味着在这个芯片上做一些改变。利用这些CMOS晶体管的模拟特性，通过控制栅极的阈值电压来放大流经晶体管的电流，使得单个存储单元可以存储8位数据，或者单个存储单元可以完成8位数据。
传统的冯诺依曼架构在工作时有一系列的数据处理。这一过程的能耗约为60%-90%，能效利用率很低。存储和计算的集成大大减少了数据处理过程。其本质是一个向量矩阵的乘法，通过前端的数模转换，将输入数据转换成电流的模拟信号。当信号进入矩阵时，矩阵中每个单元存储一个8-8位数，比如3，通过晶体管，电流被放大3倍，存储在100，电流被放大100倍，相当于水平相乘，垂直累加，所以流过这个矩阵相当于乘以一个向量矩阵。这个矩阵适合运行AI网络。智存科技面向可穿戴设备的超低功耗存储和计算集成芯片WTM2101就是基于这一技术，针对市场上的耳机和手表。智存科技主要提供计算平台。李想表示，手表中使用的健康算法会比耳机更多。
WTM2101小尺寸2.9*2.6mm，峰值计算能力50Gops，能效比15Tops/W，最大容量1.8M神经网络。该芯片具有RISC-V内核、音频ADC、电源管理、丰富的接口等。此外
总之，WTM2101 的超低功耗特性，更长的续航时间和大计算能力平台，可以为可穿戴设备过去无法部署的功能提供可能性，并可以大幅提升现有智能应用的体验效果。李想说，公司集存储和计算于一体的s AI芯片还在样片阶段，年底会有一些小批量试产。本文原由一位电子爱好者撰写。转载请注明以上出处。如需入群，请加微信elecfans999，面试要求请发邮件至huangjingjing@elecfans.com。
