1.1的基本原则。LDO
是低压差稳压器的缩写，意思是低压差线性稳压器。
低压差意味着输入电压-输出电压的值相对较低。传统线性稳压器的电压差高达2V，而LDO只有几百mV。
线性是指PMOS基本工作在线性状态(传统的线性稳压器是基于PNP原理，也是工作在线性放大状态)。
电压调节器意味着输出VOUT在正常VIN范围内稳定在一个固定值，这个固定值就是所需的电压值。比如VIN是3~4.4V的电池电压，VOUT一直保持2.7V输出。
下图是LDO原理的简单框图：
LDO是一个负反馈系统。当VOUT增大时，R2上的电压增大，放大器的输出电压增大，PMOS的VGS电压减小，使得PMOS的输出电流和电压减小。所有LDO都有相同的负反馈原理。
我们经常把LDO和DCDC相比较。它们的原理大相径庭，特点也各不相同：LDO简单，功耗低，效率低，噪音极低。DCDC复杂，功率大，效率高，噪音大。
强调一下，LDO的隔音效果非常好，具体指标是PSRR，代表输出噪声与输入噪声的比值。在一些对噪声敏感的电路中，如ADC、DAC、摄像头传感器的模拟电压等。LDO必须入选，而且是一个PSRR高的LDO，而不是DCDC。以下解释了LDO的一些关键技术指标。
2.2对关键参数的理解。LDO
以东芝的TCR3DG系列LDO为例说明LOD的参数。这个系列的LDO广泛应用于手机行业。
2.1压降
电压差是指保证VOUT的输出电压和电流时，VIN和VOUT之间的最小电压差。这个电压差可以理解为PMOS上LDO输出电流的压降。PMOS具有导通电阻。假设VIN=3.4V，VOUT=3.2V，输出电流为300mA，则PMOS的内阻可计算如下
LDO必须满足电压差的要求，但电压差不是一个固定值，它与IOUT的大小有关。下图显示了VOUT=1V的LDO的输出电流与电压差要求之间的关系。可以看出，输出电流越小，所需的电压差就越小。电压差越小，LDO的效率越高。因此，尽量不要让LDO在接近极限的高电流状态下工作，否则效率会很低，LDO会严重发热，容易烧毁。
2.2效率
LDO效率定义如下：
其实IOUT和IIN基本上是相等的，因为IIN的IGND比IOUT大，这个电流小到几乎可以忽略不计。所以效率公式简化如下。
LDO可以简单地视为电压调节器。电压差越小，LDO的效率越高。
2.3静态电流(IQ)
静态电流是外部负载电流为0时，LDO内部电路供电所需的电流。该电路包括带隙基准、误差放大器、输出分压器、过流和过温检测电路。这股水流从LDO的GND流出。
静态电流受温度和输入电压的影响很大，因此ADI公司的高性能LDO可以使静态电流对温度和电压不敏感。下面两张图是普通LDO的静态电流与VIN和温度的关系曲线。室温下的静态电流一般在uA和nA级别。
当输出电流增大时，此时的静态电流IQ称为IGND，一些大功率LDO和IGND也达到mA的水平：
大部分LDO的IQ都很小，这是衡量LDO在低负载下自耗的重要指标。智商越小越好。在消费电子领域，低智商有利于更长的续航，低智商值尤为重要。
2.4关断电流
LDO的输出使能引脚ENn拉低后，VOUT=0V，VIN上消耗的电流就是关断电流IQ(OFF)。关断电流最多不会超过几个uA。
2.5负载瞬态响应
负载IOUT逐级变化时输出电压VOUT的变化率。它与输出端的电容值、电容的ESR、LDO控制环路的增益带宽以及负载电流变化的幅度和速率有关。文章开头，LDO是一个
有些厂家用电流负荷调整率来表示这个值，公式如下：
负载调整率=VOUT/IOUT
道理是一样的。
这个指标对输出纹波有影响，越小越好。
2.6线路瞬态响应
表示VIN阶跃变化时，VOUT的变化，如下图所示。输出电压偏差显示了环路带宽和PSRR的特性。对于1.5us内的2V变化，输出电压变化约2mV，表明1KHz时PSRR约为60dB。当VIN缓慢变化时，您可能只会看到一个凹陷而不会振铃。
有的规范把这个指标叫做电压负载调整率，并给出一个公式，电压负载调整率=VIN/VOUT。道理是一样的。
随着负载电流增加，线路瞬态响应变得更差，因为LDO的总环路增益降低。此外，LDO的功耗也随着电压差的增大而增大，导致PMOS结温升高，带隙电压和内部失调电压降低。
这个指标对输出纹波有影响，越小越好。
2.7电源抑制比的PSRR
表示LDO抑制VIN上噪声的能力，公式如下：
PSRR从100K到1MHz很重要，这是DCDC的噪声频率范围。LDO经常被用作DCDC的下一个舞台，因此它应该能够过滤掉来自DCDC的大量噪音。
在ADC、DAC、摄像头的AVDD电源上，我们应该选择PSRR大于80dB(@100Hz)的LDO。
LDO的环路控制往往是决定电源抑制性能的主要因素，大容量低ESR的电容对电源总是很有用的。建议选择陶瓷电容。
PSRR与频率有关。一般来说，LDO的规范会给出几个频率点的PSRR值。
PSRR与IOUT有关。一般来说，轻负荷的PSRR高于重负荷的。PSRR也与LDO的相位裕度有关，
2.8输出噪声电压
输出电压和电流恒定，VIN上无纹波，VOUT上的噪声电压有效值在给定范围内(10Hz~100KHz)。该噪声主要来自LDO内部基准电压源和误差放大器。LDO的噪声水平如下，通常为紫外线水平。
LDO输出噪声的另一种表达是噪声频谱密度。只有高精度、低噪声的电路才需要注意这个参数。
2.9自放电功能
LDO关闭后，负载电容上仍有电荷。当LDO下一次输出时，由于这个电量，它将产生快速的电压尖峰。虽然幅度不高，但对后续电路也会有破坏性。具有自放电功能的LDO可以在LDO输出关断后，将输出电容上的点电荷放电。
3.输出稳定性要求为3。LDO
LDO是一个负反馈系统。VIN和VOUT的电容值以及ESR都会影响这个系统的稳定性，其中最重要的是ESR。在LDO的规范中，列出了输入电容CIN和输出电容COUT和ESR的要求。务必遵守这一要求。
TCR3DG规范要求COUT的ESR不大于10，且应位于LDO附近。没有其他明确要求，但建议CIN和COUT使用1uF。
ADP165规格要求最小CIN和COUT为0.7uF，ESR为0.001 ~ 0.2 。
LP5907SNX-1.8的规格要求CIN > 0.7 uf；COUT=1uF-10uF，ESR=0.005 ~ 0.5。
所以几乎每个LDO、CIN、COUT都要求大于1uF，而且ESR越低越好，最好小于100m，但也不能太小。小于几m也会使LDO不稳定。
4.LDO选择参考
确定输出电压VOUT，建议选择输出电压固定的，不要选择带ADJ功能的，这样可以节省器件，减少干扰。
确定输出电流IOUT，至少有25%的裕量。
为了确定压差是否合适，一定要检查规格中最大电流对应的最小压差要求。
确认，1x1 CSP的LDO一般用在手机上。
确认PSRR。如果用于低噪声场合，必须选择高PSRR(80dB以上)的LDO。建议在80 dB以上。
如果是电池供电，需要很高的续航能力，一定要选择低智商的LDO。
注意CIN和LDO的COUT要求，不要错了。
为了快速响应，您可以选择带偏置电压的LDO。
5.LDO 5型。电源管理单元
MT2503平台PMU的11路LDO输出中，有给射频放大器供电的低噪声LDO，也有待机不掉电的低静态电流LDO。那儿有
