学习简单电路是学习复杂电路的起点，因为复杂电路是由简单电路组成的。
所以，先打好基础。
电流源：
二极管连接的MOS
退化CS阶段
基本的CS拓扑可以放大信号，为什么要折腾出这么多种电路？
付出这么大的努力，对他来说当然有好处。
例如，电流源。
理想电流源有这样一个特性，在偏置模型下，它可以提供偏置点，在小信号模型下，它具有无穷大的电阻。
基本CS拓扑，其增益为：
可以看出，RD的大小限制了共源共栅放大器的增益。但是你想提高RD，放大器的工作状态不允许。如果RD升得太高，MOS管可能会进入线性区。所以通过增加RD来提高增益是非常有限的。
那我该怎么办？
此时，将使用电流源。如果用电流源代替RD，增益可以大大提高。那么有人会说，电流源的电阻相当于无穷大。我有无限的收益吗？唐别担心，仍然有通道调制效应需要考虑。
如果考虑上行通道调制效应，则：
使用电流源代替RD，然后：
此外，二极管连接的MOS
根据以上推导，CS放大器的增益往往与gm有关。
也就是说，转基因受多种因素影响：
(1)GM的尺寸在不同的晶片(un、Cox、Vth)之间是不同的。
不同晶圆之间，掺杂浓度总会有一点点的变化，这会导致UN、Cox、Vth的变化，从而导致gm的差异。
(2)不同的电压也会导致不同的gm。
比如使用电池的设备，当电池充满电，用了一些电，输出电压也可能发生变化，这也会导致gm的差异。
(3)温度的影响
在不同的温度下，电子和空穴的迁移率也会发生变化，gm的大小也会不同。
(4)信号的大小
上述小信号模型假设输入信号非常小。如果输入信号变大，ID的变化也会变大，gm的变化也会变大。
因此，电路设计者会寻找一种能够降低外界因素对gm影响的结构。
二极管接法的MOS是这种电路结构的基础。
比如下图所示，用二极管接法的MOS代替RD，增益只与管的大小有关，而这只是受上述因素的轻微影响。
此外，降级的csstage
如果，创造条件使1/gm
而且，即使不能创造条件使gm可以忽略，gm对电压增益的影响也因RS的存在而降低。
但是，增加源端的RS也会带来一个缺点，即电压增益降低。
然而，工程师总是在矛盾中徘徊，试图做出妥协。
源极加RS的另一个作用是使MOS管形成的非电流源更接近理想电流源。
理想电流源的阻抗为无穷大，但基本MOS管构成的电流源的阻抗为r0。然而，增加源端的Rs会大大增加电流源的阻抗。
审计唐子红
