本文阐述了驱动芯片中表征驱动能力的关键参数驱动电流和驱动时间之间的关系，并通过实验说明了在实际应用中如何正确理解这些参数的性能。
驱动芯片概述
MOSFET、IGBT等功率器件需要驱动电路的配合才能正常工作。图1示出了驱动功率MOSFET的驱动器芯片的电路。当M1导通，M2关断时，功率VCC通过M1和Rg给Cgs和Cgd充电，从而导通MOSFET。其简化充电电路见图2。当M1关闭而M2打开时，Cgs通过Rg和M2放电，从而关闭MOSFET。其放电简化电路见图3。
衡量驱动能力的主要指标：驱动电流和驱动速度。
衡量一个驱动芯片的驱动能力主要有两个指标：驱动电流和驱动上升下降时间。这两个参数在通用驱动芯片规范中有标注。然而，在实际应用中，工程师往往只关注驱动电流，而忽略了上升和下降时间这一参数。事实上，驱动器的上升和下降时间同样重要，有时甚至比驱动电流更重要。因为驱动的上升和下降时间直接影响功率器件的开通和关断速度。
图4示出了当MOSFET导通时栅极驱动电压和驱动电流的简化时序图。从t1到t2的时段是栅极驱动的源极电流(IO)从零开始到峰值电流的时间。在t3，栅极电压达到米勒平台，源电流开始对MOSFET的米勒电容充电。在t4，米勒电容充电完成，源电流继续给MOSFET的输入电容充电，栅极电压上升，直到达到栅极驱动的电源电压VCC。同时，在从t4到t5的时段期间，源电流也从峰值电流下降到零。这里有一个非常重要的阶段：源电流从t1到t2的建立时间。不同的驱动芯片电流建立时间不同，会影响驱动速度。
测试比较
下面通过测量两个芯片SLM2184S和IR2184S的性能来说明驱动电流的设定时间对驱动速度的影响。
1表比较了SLM2184S和IR2184S的测试。虽然SLM2184S的峰值源电流[IO]和峰值吸电流[IO-]小于IR2184S的测量值，但SLM2184S的电流建立时间比IR2184S短得多。
表1:1:SLM 2184s和IR2184S的驱动电流和驱动时间比较
实测：SLM2184Svs IR2184S路测对比
图5~图16:被测SLM2184S的驱动电流和驱动时间波形。
图17~图28:测量的IR2184S的驱动电流和驱动时间波形
SLM2184S驱动的测试波形
IR2184S驱动测试波形
测试总结
从以上实验测试可以看出，驱动芯片的驱动速度不仅取决于驱动电流，还取决于驱动电流的设定时间、MOSFET的输入电容等因素。有些驱动芯片的驱动电流虽然比较大，但是电流上升下降比较慢，没有很好的发挥大驱动电流的作用。即使在大多数应用中，驱动速度(tr和tf)也不如驱动电流小的驱动芯片。因此，在选择驱动芯片时，不仅要注意驱动电流，还要注意一定负载电容下的上升和下降时间。当然，最合适的方式是根据实际选用的功率管来测量驱动端的波形，从而确定是否选用了合适的驱动芯片。
