推荐商品
Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET
Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用trench FET GENIV功率MOSFET技术。SiR186LDP MOSFET具有超低RDQG品质因数(FOM)，可通过调节实现最低的RDQOSS FOM。Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET非常适合同步整流、原边开关、DC/DC转换器和电机驱动开关应用。
特点
TrenchFET第四代功率MOSFET的超低RDS-Qg品质因数(FOM)经过调谐，最低RDS至Qoss fom可由Rg和UIS 100%测试。
同步整流一次侧开关DC/DC变流器电机驱动开关电路图
SIR186LDP-T1-RE3
MOSFET N沟道60v(D-S)MOSFET power pak SO-8，10V时为4.4 mO，4.5V时为6.3 mO
产品类别：MOSFET
技术：Si
安装方式：SMD/SMT
包装/包装盒：PowerPAK SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个通道
Vds-漏-源击穿电压：60V
Id-连续漏极电流：80.3A
Rds导通-漏极-源极导通电阻：4.4m欧姆
vgs-栅极-源极电压：20V
Vgs第栅极-源极阈值电压：2.5V
Qg-栅极电荷：31.5nC
最低工作温度：-55
最高工作温度：150
Pd-功耗：57W
频道模式：增强
商品名：TrenchFET
包装：切割胶带
封装：鼠标卷轴
包装：卷轴
配置：单个
晶体管类型：1个N沟道
正向跨导-最小值：54S
下降时间：6ns
产品类型：MOSFET
上升时间：6ns
工厂装箱数量：3000个
子类别：MOSFETs
典型关闭延迟时间：26ns
典型开启延迟时间：11ns
SIR186LDP-T1-RE3
现货购买链接：https://www.yikuyi.com/product/r-83e4d19c4e810e6e.htm
Vishay/Siliconix SQW61N65EF汽车电子系列功率MOSFET
Vishay/Siliconix SQW61N65EF汽车电子系列功率MOSFET是一款采用汽车电子系列技术的单通道N沟道快速体二极管MOSFET。SQW61N65EF具有缩短反向恢复时间、反向恢复电荷和反向恢复电流的功能。该器件的栅极电荷为229nC，漏源导通电阻为0.045，因此具有超低品质因数(FOM)。SQW61N65EF符合AEC-Q101标准，提供-55C至175C的宽工作结温范围，非常适合汽车应用。
Vishay/Siliconix SQW61N65EF汽车电子E系列功率MOSFET采用3引脚TO-247AD封装，符合RoHS要求且无卤素。
特性符合AEC-Q101。
采用汽车E级系列技术的快速体二极管MOSFET
T J时最大700V漏源电压(V DS)
25C时的650V漏源电压(V DS)
30V栅极-源极电压(V GS)
0.045漏源导通电阻(R DS(on))
229nC栅极电荷(Q g)
低品质因数(FOM)(R DS(on))x Q g
204ns的反向恢复时间(t rr)缩短。
1.9C反向恢复充电(Q rr)
18A反向恢复电流(RRM)
7379pF的低输入电容(csiss)。
因为反向恢复电荷减少，所以开关损耗低。
625瓦最大功耗(P d)
雪崩能量等级(UIS)
工作结温和存储温度范围(T J，T stg)为-55c至175c。
3引脚-247AD封装
无卤素、无铅且符合RoHS标准
应用领域汽车车载充电器
汽车DC-DC转换器
SQW61N65EF-GE3
MOSFET汽车用E系列功率MOSFET，带快速体二极管，高达-247AD，52 mO @ 10V
SQW61N65EF-GE3
现货查询链接：https://www.yikuyi.com/product/r-52b972bbf6b712c3.htm
产品类别：MOSFET
技术：Si
安装方式：通孔
包装/包装盒：TO-247AD-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个通道
Vds-漏-源击穿电压：650V。
Id-连续漏极电流：62A
Rds导通-漏极-源极导通电阻：52m欧姆。
vgs-栅极-源极电压：-30V，30V。
Vgs th栅极-源极阈值电压：4V
Qg-栅极电荷：229nC
最低工作温度：-55
最高工作温度：175
Pd-功耗：625W
频道模式：增强
包装：切割胶带
包装：卷轴
配置：单个
晶体管类型：1个N沟道
类型：汽车e系列功率MOSFET，带快速体二极管
下降时间：102纳秒
产品类型：MOSFET
上升时间：107ns
工厂装箱数量：480个
子类别：MOSFETs
典型关闭延迟时间：252ns
典型开启延迟时间：65ns
单个重量：6g
内部电路和典型输出
开关时间测试电路
栅极电荷测试电路
包装轮廓
