硅片经线切割机切割后，其表面已被严重污染。为了达到工业应用标准，它必须经过严格的清洗过程。由于切割造成的污染严重，其表面的清洗过程必然需要更加复杂和精细的工艺。
一、硅片污染分类
具体来说，硅晶片的表面污染可以大致分为三类：
1、有机杂质污染：可通过有机试剂溶解结合兆频超声波清洗技术去除。
2、颗粒污染：可用物理方法通过机械擦洗或兆频超声波清洗技术去除粒径0.4微米的颗粒，用兆频超声波去除粒径0.2 m的颗粒。
3、金属离子污染：这种污染必须用化学方法清除。硅片表面的金属杂质污染可以分为两类：
(1)污染的离子或原子通过吸附和分散附着在硅片表面。
(2)带正电的金属离子得到电子后附着(尤其是“电镀”)在硅片表面。
二、硅片表面污染的清洗技术和方法
硅抛光片化学清洗的目的是去除这种污染，使硅晶片达到工业应用的标准。从1970年开始，美国RCA实验室提出的浸没式RCA化学清洗工艺被广泛应用，1978年RCA实验室又引入了兆频超声波清洗工艺。近年来，基于RCA清洗理论的各种清洗技术不断发展。
目前，在硅片切割和清洗的实际过程中，一般采用以下方法去除污染。
1、利用H2O2作为强氧化剂，将硅表面“电镀”的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅表面。
2、无害的小直径强正离子(如H)，通常为HCL，作为H的来源，置换吸附在硅片表面的金属离子，溶解在清洗液中，从而去除金属离子。
3、使用大量去离子水进行超声波清洗，以去除溶液中的金属离子。
由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解，有机污染物转化为水溶性化合物，用去离子水洗涤消除。同时，该溶液具有强氧化性和络合性，能氧化铬、铜、锌、银、镍、钴、钙、铁、镁等。使它们变成高价离子，然后进一步与碱反应生成可溶性络合物，用去离子水洗涤除去。所以用SC-1溶液清洗抛光垫，不仅可以去除有机污染物，还可以去除部分金属污染物。SC-1溶液与兆声清洗结合使用，可获得更好的清洗效果。
另外，SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，氧化性很强，很复杂，氧化前能与金属反应生成盐，用去离子水除去。氧化金属离子与CL-反应形成的可溶性络合物也用去离子水洗涤除去。
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设备使用：
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1个DHF清洗罐、1个OF罐、1个SC-1罐、1个QDR罐、1个SC-2罐、1个QDR罐和1个干燥罐。设备功能：
化学槽：:自助换酸、自助洗槽、自助配槽。DIW浴：前流量和后变化功能.S/D 6/8寸自助换位，甩干。
机械臂：卡盘开合式，速度可控出勤；
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装货区 DHF (100 1) of罐SC-1罐QDR罐SC-2罐QDR罐S/D罐卸货区。
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有三套前机械手：arm-1、 arm-2、 arm-3。机器上部配有高效过滤器(FFU)。
工艺技术指标：
1.设备应实现全自动操作，可自动控制过程，冲洗和干燥整套操作，并配有自动供液、自助洗罐和带兆声的SC1-1罐；可编程选择清洗的处理槽和处理时间。
2.通过DHF/SC-1/SC-2完成最后的清洗过程，有效清洗晶圆片表面污染物和颗粒。要求颗粒为0.2um和0.16um作为参考，金属1E10。3.N2滤波精度：0.01 m.
