学习简单电路是学习复杂电路的起点，因为复杂电路是由简单电路组成的。
所以，先打好基础。
电流源：
二极管连接的MOS
退化CS阶段
基本CS拓扑可以放大信号。为什么要折腾出这么多种电路？
当然，花这么大力气也有好处。
例如电流源。
理想电流源具有这样的特性，在偏置模型中可以提供一个偏置点，在小信号模型中具有无穷大的电阻。
基本CS拓扑，其增益为：
可以看出，RD的大小限制了共源放大器的增益。但是你想提高RD，放大器的工作状态不允许。如果RD升得太高，MOS管可能会进入线性区。所以通过提高RD来提高增益是非常有限的。
那我该怎么办？
这时，电流源就发挥作用了。如果用电流源代替RD，增益会高得多。那么有人会说，电流源的电阻相当于无穷大，那么我有无穷大的增益吗？不用担心，还有通道调制效果要考虑。
如果考虑上行通道调制效应，则：
用电流源替换RD，然后：
此外，二极管连接的MOS
从上面的推导可以看出，CS放大器的增益往往与gm有关。
换句话说，转基因受到许多因素的影响：
(1)GM的尺寸因晶圆而异(un、Cox、Vth)。
不同的晶圆之间，掺杂浓度总会有一点点的变化，这会导致UN、Cox和vth的变化，从而导致不同的gm。
(2)不同的电压也会导致不同的gm。
比如电池充满电使用时，电池的输出电压也可能发生变化，这也会导致gm的差异。
(3)温度的影响
电子和空穴的迁移率在不同的温度下会发生变化，gm的大小也会不同。
(4)信号大小
以上小信号模型都是假设输入信号很小时，如果输入信号变大，ID的变化会更大，gm的变化也会更大。
因此，电路设计者会寻找一种能够降低gm对外界因素影响的结构。
二极管接法的MOS是这种电路结构的基础。
比如下图，用二极管接法的MOS代替RD后，增益只和管的大小有关，而这只是受上述因素的轻微影响。
此外，降级的csstage
如果，创造条件搞1/gm
而且，即使不创造条件使gm可以忽略，gm对电压增益的影响也会因为RS的存在而降低。
但是，在源极中加入RS也会带来一个缺点，即时间电压增益降低。
然而，工程师总是在矛盾中徘徊，试图做出妥协。
源极加RS的另一个作用是使MOS管形成的非电流源更接近理想电流源。
理想电流源的阻抗为无穷大，但基本MOS晶体管构成的电流源的阻抗为r0。但是在源极上增加Rs会大大增加电流源的阻抗。
审计唐子红
