中威董事长尹志耀荣登“2018全球半导体行业明星榜”
中威半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中威”)董事长兼CEO尹志耀博士荣获美国领先的半导体行业市场研究公司VLSIresearch(以下简称“VLSI”)评选的“2018全球半导体行业全明星”。
中美公司致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。创新驱动自主研发的微等离子体刻蚀设备和硅通孔刻蚀设备已广泛应用于国际各大芯片厂商和封装测试厂商的生产线中先进的集成电路加工技术和最先进的封装技术2。目前，在亚洲和欧洲的40多条生产线上运行着1100个微反应器(包括介质刻蚀、TSV、MOCVD)。中微研发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备不仅在客户生产线投入量产，还成为蓝光LED市场份额最大的领先设备。
华虹半导体无锡项目(华虹七厂)主体结构全面封顶。
该项目占地约700亩，总投资100亿美元，将分期建设多条12英寸集成电路生产线。其中，项目一期总投资约25亿美元，建设工艺等级90~65 nm、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线，支撑5G、物联网等新兴领域应用。
该项目预计2019年上半年完成净化厂建设和电力机电设备安装，2019年下半年工艺设备搬入调试，逐步实现投产。
2018年11月20日，在第十六届中国半导体封装测试技术与市场年会上，华虹集团副总裁香香博士表示，华虹一厂、华虹二厂、华虹三厂为8英寸生产线，月产能分别为6.5万片、5.9万片、5万片，总产能为17.4万片。
上海新洋：上海新盛硅片通过SMIC认证。
上海新洋2018年半年报曾表示，上海新盛300mm大硅片项目自2017年第二季度开始向SMIC等芯片代工企业提供样品进行认证，阻挡膜、伴随膜、测试膜等产品继续销售。2018年一季度末，上海鑫盛300mm硅片正片通过上海华力微电子有限公司认证，开始销售。
目前，上海新盛硅片已通过华力威和SMIC的认证。
上海新盛是中国首个300毫米大硅片项目的承担主体。目前月产能达到10万片。预计2019年月产量达到20万片，2020年底达到30万片，提升国内大硅片供应能力。
华为首次公开ARM服务器芯片7nm加64核。
在智能计算大会暨中国智能计算商业战略发布会上，华为正式发布了ARM服务器计算芯片，型号为“Hi1620”。据悉，这是华为的第四代服务器平台。
这表明华为将在2019年推出该芯片，并将采用TSMC的7纳米工艺制造。华为在ARMv8架构的基础上，自主设计了核心代码“泰山”(TaiShan)，支持48核和64核配置。
Hi1620的封装尺寸为60x75mm，比上一代Hi1616的57.5 x 57.5 mm大了一点，不过华为官方表示Hi1620会把功耗控制在100W到200W的范围内，也就是24验证要100W，64验证要200 W。
富士康计划投资600亿元人民币在珠海建晶圆厂。分析师：困难很多。
《日经新闻》21日援引知情人士的消息称，富士康正与珠海市政府谈判投资600亿美元
该工厂将于2020年开始建设，富士康也将借此机会挑战TSMC等代工行业的领导者。该工厂将为超高清8K电视、相机图像传感器以及工业应用和互联设备的各种传感器芯片制造芯片。最终，它将扩大珠海工厂的12英寸产能，并为机器人和自动驾驶汽车制造更先进的芯片。晶圆厂不仅将为富士康制造芯片，还将为其他厂商提供代工服务。
业内人士表示，600亿元的投资将分阶段到位，但由于政治问题等因素，珠海晶圆厂项目仍有可能改变或推迟。
英特尔FPGA中国创新中心在重庆揭牌。
英特尔FPGA中国创新中心19日落户重庆西永微电子产业园。这是英特尔全球最大的专注于FPGA技术和生态的创新中心。将推动FPGA在云计算、智慧城市、人工智能、智能制造、金融科技、5G通信等领域的广泛应用和前沿创新。
新成立的英特尔FPGA中国创新中心将以重庆为建设中心，联合国内广大生态伙伴，培育FPGA创新生态链，加速产业的创新、应用、推广和发展。目标是将重庆建设成为中国FPGA发展的人才培养中心、生态创新中心和产业集聚中心。
中国首台ASML NXT2000i正式落户SK海力士无锡工厂。
12月19日晚，中国第一台ASML NXT2000i正式搬进SK海力士位于无锡的工厂。
根据ASML的确认，SK海力士在无锡的工厂是NXT2000i，即NXT2000。ASML解释说，我的意思是沉浸。NXT2000是一款沉浸式机器。所以NXT2000就是NXT2000i。
据了解，无锡是SK海力士在中国的DRAM存储芯片生产基地，月晶圆产量约14万片。
与此同时，SK海力士也成立了SK海力士系统IC公司，开始进军代工市场。与此同时，它增加了1000万美元的投资，以扩大其在无锡的模拟IC芯片业务。
微5纳米蚀刻机将用于TSMC的5纳米芯片制造。
在TSMC的5纳米生产线上，将会有一台Micro Semiconductor自主研发的5纳米等离子蚀刻机。最近，它已经通过了TSMC的验证，并将用于世界上第一条5纳米工艺生产线。
中微半导体与TSMC在28纳米制程世代上有合作，10纳米和7纳米制程也有延续。值得一提的是，中微半导体也是唯一一家进入TSMC 7nm制程蚀刻设备的大陆本土设备制造商。
作为世界排名第一的代工厂，TSMC的新流程正在一路运行中。7纳米EUV极紫外光刻工艺已经完成了第一次流，5纳米工艺也将于2019年4月开始风险试产。预计2020年量产。
华为已经赢得了25个5G合同，今年的收入将突破1000亿美元大关。
华为轮值主席胡在公司深圳总部的新闻发布会上表示，截至目前，华为已获得超过25份第五代移动通信(5G)商业合同，略高于11月份宣布的22份。同时，5G基站(基站)出货量已经超过1万个。
突破紫光封装技术关键一盘棋，存储教父高其全掌舵武汉新芯或缔造，紫光最快上市公司|独家
紫光集团旗下的武汉新芯最近高层变动。两岸存储教父高其全接任CEO一职，就是要以3D IC封装技术为利器，帮助公司进行大转型，争取三年内上市，使其成为国内又一家由紫光孵化的全新上市公司。
武汉新芯成立后，主要在一家12英寸晶圆厂从事NOR Flash芯片和CMOS图像传感器芯片的代工制造，并为美国事务所NOR Flash(后被赛普拉斯收购)和传感器制造商OmniVision提供帮助。
阿里巴巴半导体公司平头哥落户上海张江。
今年9月，在杭州2018云起大会上，阿里正式宣布成立独立芯片公司————平头哥半导体有限公司，整合达摩院自研芯片业务
阿里巴巴平头哥(上海)半导体科技有限公司于11月7日正式注册，注册资本1000万元。注册地为张江，法定代表人为刘。股东资料显示，其股东发起人为阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司，持股比例为100%。
主工厂已完成92%，广东心悦的月生产能力为40，000件。设备将于明年3月搬进来，12月进行批量生产。
作为广州第一家以虚拟IDM为运营策略的12英寸芯片厂，心悦半导体项目于2018年3月开始打桩，主厂房按原计划10月封顶，12月7日洁净室强制送风。目前，主厂房已完成约92%。计划2019年3月完成清洁生产车间，设备搬进调试。广东半导体是广州第一条全自动12英寸集成电路代工生产线，大大降低了人工成本，提高了生产效率。一定会是广州智能制造的典范。
Arm中国区执行董事长吴雄昂：未来聚焦三个方向。
吴先生表示，“在Arm成立后的第26年，已经实现了1000亿片的出货量，但是我们看到，从2017年到2021年，仅仅4年时间，我们就要再次实现1000亿片的出货量。预计未来20年将实现1万亿件的出货量。换句话说，未来20年，我们将看到全球市场上万亿智能终端设备的发展机会，相当于10万到30万亿产能的发展空间。”
为了实现这一目标，我们至少要面对三大挑战。第一，不仅要保留移动互联网实现的芯片、成本、功耗等优势，更重要的是要从软件到硬件植入我们目前的安全架构。
其次要提高边缘计算的计算能力，
第三，在这样一个计算架构转移的过程中，我们整个行业对芯片和整个智能设备网络的要求是各种升级，需要更多不同的产品形态。
今天，在全球范围内，美国占半导体设计销售额的58%，但实际上，美国市场半导体的消费量只有13%，这与中国的现状相反。
吴总经理透露：“我们未来的发展将集中在三个方向。第一个是发展世界领先的技术，第二个是打造更完整的创新生态，第三个是与产业资本合作，推动整个行业的发展。”
以Arm为例。过去10年，Arm在中国的合作伙伴出货量增长了170多倍，累计出货量超过110亿。中国95%的SoC芯片基于Arm技术。更重要的是，为了支持Arm生态在中国的发展，Arm于2018年6月完成了其核心技术公司在中国的第一次完整分拆和合资。Arm在中国的业务和技术全部分拆给Arm中国，通过股权结构的变化，成为中方控股51%的合资公司，双方实现了创新模式。
国内厂商深耕IGBT领域，扎扎实实往前走。
自商用以来，IGBT作为新型功率半导体器件的主要类型，在1-100kHz频率范围内占有重要地位，其电压范围为600V-6500V，电流范围为1A-3600 a
越来越多的中国企业试图进入芯片制造领域。自2018年以来，中国已有7家功率半导体制造工厂开工，包括华虹李鸿无锡12英寸晶圆厂、英飞凌无锡工厂扩建(服务于SAIC英飞凌合资公司)、杨洁科技8英寸线、SMIC绍兴项目、湖南株州盛源半导体项目、上海临港塔半导体生产线和施兰威厦工生产线。
(1)2018年3月，华虹李鸿无锡12英寸晶圆厂正式开工建设。工厂将于2019年上半年完成土建施工，2019年下半年完成净化厂房建设、动力机电设备安装和接线，逐步实现量产。
(2)2018年3月，SAIC英飞凌汽车
(3)2018年3月，杨洁科技在宜兴举行6英寸晶圆生产线，已能小批量生产IGBT芯片。公司正在积极规划8英寸生产线，并储备8英寸晶圆和IGBT技术人才。
(4)2018年5月，举行SMIC制造(绍兴)项目奠基仪式。合资项目由SMIC、绍兴市政府和盛阳集团共同出资，总投资58.8亿元。它将面向MEMS和功率器件集成电路领域，专注于晶圆和模块OEM。
(5)2018年8月，总投资6.8亿元、年产30亿功率器件的盛源半导体项目正式签约落户湖南省株洲市云龙工业新城。盛源半导体项目与南车株机公司汽车IGBT产业基地在消费类功率半导体封装测试领域具有优势互补。深圳市盛源半导体有限公司主要从事半导体功率器件的R&D、生产和销售，是石兰微电子、中国微电子、华润微电子等领先功率器件企业的战略封测合作伙伴。
(6)2018年8月，中国电子信息产业集团吉它半导体有限公司特种工艺生产线项目在上海临港正式开工。项目总投资359亿元，目标是建设月产能6万件的8寸生产线和5万件的12寸特色工艺生产线。产品聚焦工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中电科(IGBT)、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。
(7)2018年10月，杭州石兰微电子有限公司厦门12英寸芯片生产线和先进化合物半导体生产线正式开工。2017年12月，石兰微电子与厦门市海沧区人民政府签订《战略合作框架协议》。卫兰电子股份有限公司和厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币，计划在厦门建设两条90 ~ 65 nm特性工艺芯片(功率半导体芯片、MEMS传感器)12英寸生产线和一条先进化合物半导体器件(第三代功率半导体、光通信器件、高端LED芯片)兼容4/6英寸生产线。
汇丰银行和渣打银行相继切断了与华为的业务往来。
据当地时间20日《华尔街日报》，两家全球银行决定不向华为提供金融服务。
报道援引熟悉上述决定的人士的话称，这两家银行分别是汇丰和渣打，因为华为的风险太高。
在北斗三号的舞台上，中国芯占据C位。
11月19日发射的北斗卫星42、43，是北斗三号系统的第18、19颗组网卫星。这两颗中圆地球轨道卫星与前期发射的17颗卫星携手，标志着北斗三号基本系统的建成。
北斗三号是真正的全球卫星导航系统，精度和可靠性大大提高：定位精度2.5到5米；测速精度为0.2m/s；计时精度为20纳秒。此外，其设计寿命从8年提高到10至12年，并提出了“保证不间断服务”的指标。
到2020年，北斗三号将拥有35颗卫星，该系统将全面建成，成为世界上最大的卫星导航系统。
2017年，国产北斗芯片累计销量已超过5000万片，占据大部分终端市场，有机无芯局面得到改善。
随着国产北斗芯片的爆发，高昂的芯片价格也顺势而为。2012年，一个民用北斗芯片的价格是200元到300元人民币，当时GPS芯片的单价只有30元人民币左右。五年后，北斗芯片单价已经降到1美元以下，与GPS芯片持平。
在第17颗北斗三号卫星发射前一天，中国卫星导航系统管理办公室正式发布北斗全球信号射频基带一体化集成芯片第二轮评估结果。五家公司将作为北斗全球用户终端制造的提供商，支持北斗三号新系统的全球应用。这一评估将为实现自主可控性设定严格的标准
2013年以来，泰斗微电子、信兴通、杭州中科微等一批国内公司相继推出多模射频基带集成芯片。现在单模芯片难求，多模芯片成为主流。
SEMI预测全球fab设备的投资额，内存和大陆是两个变量。
根据SEMI(国际半导体行业协会)最新发布的《世界晶圆厂预测报告》，2018年和2019年全球晶圆厂设备投资额将向下修正，2018年投资额将由8月预测的14%增长向下修正为10%增长；2019年投资额将从最初预测的7%上调，向下修正为下降8%。
此外，2019年，mainland China晶圆厂设备的投资额从最初预测的170亿美元下调至120亿美元。原因包括内存市场、中美贸易紧张、工厂建设计划延迟等。领先的半导体制造商，如SK海力士、GLOBALFOUNDRIES、UMC、SMIC等。都暂停了在mainland China的投资，福建金华案也暂停了DRAM的投资计划。
修正之前对内存资本支出将增长3%的预测，2019年整体内存资本支出将下降19%，其中DRAM下降幅度最大，降幅为23%，3D NAND下降13%。
三星的7纳米EUV赢得了一个大客户，将为IBM代工下一代处理器。
作为全球唯一能提供7nm代工的公司，TSMC覆盖了绝大部分订单，包括苹果、海思、赛灵思、英伟达、AMD等。在辛格停止其7纳米R&D后，三星似乎特别孤独。然而近日，IBM宣布将与三星OEM合作开发下一代高性能Power系列、Z系列和LinuxONE微处理器，双方的合作将延续至未来十年。
IBM的下一代Power10计划于2020年至2021年推出，采用三星的7纳米EUV工艺。根据IBM之前的处理器路线图计划，目前的Power9采用14nm工艺，仍然由辛格制造。下一代Power10处理器计划采用10nm工艺，之后下一代Power11将采用7nm工艺。
创路超群：明年9月后全球半导体行业将爆发。
对于明年的半导体热潮，于闯科技董事长陆超群认为，受全球政治经济因素影响，明年6月前半导体行业将放缓。然而，9月之后，在人工智能(AI)和5G的推动下，全球半导体行业将进入另一个大爆发阶段。
英特尔关闭代工厂后，TSMC很高兴。
市场上有消息称，英特尔正在扩大其位于俄勒冈州、爱尔兰和以色列的三家晶圆厂的产能，并将关闭其国外代工业务。一些人认为，在英特尔退出代工市场后，TSMC有望受益于转移效应。但市场分析人士指出，英特尔代工原本市场份额就不高，因此转移效果不会很明显。
三星电子成立传感器团队，希望和索尼一起做第一。
据调查公司(TSR)统计，去年全球独联体市场规模为13.2万亿韩元(116.88亿美元)。索尼销售额达6.8万亿韩元(60.18亿美元)，以51.4%的市场份额排名第一。三星电子销售额达2.75万亿韩元(24.48亿美元)，以20.9%的市场份额位居第二。
据韩国媒体thelec报道，三星电子解决方案(DS)部门近日通过组织重组成立了“传感器事业群”，负责LSI事业部中的CMOS图像传感器(CIS)业务。项目负责人是系统LSI开发总监朴永仁(研究委员，副主任级)。副总裁朴在成为业务负责人之前致力于传感器产品的开发。
半导体的新趋势——异质芯片集成
按照陆超群的解释，第一代硅(Si 1.0)是平面工艺的缩影，比如从90 nm到65nm；第二代硅(Si 2.0)采用3D晶体管的鳍式场效应晶体管(FinFET)延续摩尔定律。第三代硅(Si 3.0)已经开始采用封装技术，将不同的芯片集成到一个芯片中，使用系统级封装(SiP)来达到相同的目标，或者TSMC采用的CoWoS或集成扇出晶圆级封装(InFO)通过晶圆工艺来达到相同的目标。
陆超群还提出，异构集成将是第四代硅(Si 4.0)。他说，Si 4.0一代就是要充分利用异构集成技术，将半导体和应用系统终端结合起来，实现全球半导体产业产值1万亿美元的目标，也就是让摩尔定律活下去，让制程技术不断收缩，不断前进。
至于Si 4.0的异构集成，就是集成包括处理器、内存、图形芯片、镜头、传感器、MEMS、生物识别传感器、射频元件等不同的3D芯片。集成到单个芯片或纳米系统中。比如5G时代的传输芯片，如果采用异构集成技术，芯片和天线可以直接集成为一体。
于闯董事长陆超群很早就看到摩尔定律要慢下来了，所以这几年一直在倡导异质融合的概念。随着2月份IEEE提出异构集成的蓝图，半导体行业开始向异构芯片集成发展。
