过流保护 电路(详解过流保护电路原理以及构成)

1.前言一般我们用保险来实现过流保护的功能,简单,成本低。但保险属于实物保护,通过自爆来达到保护的目的。缺点是只能保护一次,不能恢复。如果要恢复功能,只能更换保险。另一个缺点是,只有当负载电流明显超过保险的额定电流时,保险丝才会断开。更重要的是,保险规范是不连续的。没有你想要的那么多额定电流保险,所以今天我们就来说说基于运算放大器的过流保护电路。保护电流可以设置,并带有延时保护功能。不然大家一提到运算放大器就会觉得成本高。你要明白,我们的目标是过流保护,而不是精确的电压采样,所以选择普通运算放大器是可以的,普通运算放大器的电流成本不会太高。

二。电路原理及组成MOS晶体管Q1,用于正常或过流时开关负载,电阻R1用于负载电流采样,实际上是典型的分流电阻低端采样方式。MOS晶体管导通后,负载电流将流经R1,流入GND,根据欧姆定律,在R1上产生电压降。例如,对于1A的负载电流,采样电阻为1欧姆,因此电压降为1 A * 1 =1V。1V的电压将被施加到运算放大器IC1A的负输入端,并且运算放大器的正输入端的电压可以通过滑动变阻器VR1来调节。LM358D在这里充当比较器,将当前采样电压值与预设电压值进行比较。如果采样电压低于预设电压,运算放大器的输出将为高,MOS晶体管将导通。如果采样电压低于预设电压,运算放大器的输出为低,MOS管就会关断,从而实现过流保护的目的。

电路中有一些注意事项。总结一下:

1.VR1可以换成两个电阻串联分压,因为可调电阻一般比较大。

2.100K的反馈电阻一般可以不省,可以增强环路稳定性。

3.电阻R2的阻值可以根据对MOS关断时间的影响和MOS栅的寄生电容来计算。

4.电阻R3下拉到地,可以提高MOS管驱动电路的抗干扰性能,MOS管受到干扰就会失控。

3.总结了以比较器电路为主的运算放大器构成的过流保护电路。原理比较简单,但要注意器件的设计和选择,否则实际工作中电路可能不稳定。

审计唐子红